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非易失性半导体存储器件及其多块擦除方法

摘要

一种非易失性半导体存储器件包括存储块和擦除控制器,该擦除控制器被配置成控制其中同时擦除至少两个存储块的多块擦除操作。根据一些实施例,在选择并同时擦除所选择的存储块之后,根据外部提供的擦除校验命令和块地址执行对每个已擦除存储块的擦除校验操作。根据一些实施例,当正在擦除所选择的存储块时,如果存储器件收到暂时中止命令,则擦除操作中止,并开始诸如读取操作的另一操作。当存储器件收到恢复命令时,恢复擦除操作。对其它实施例进行了描述并提出了权利要求。

著录项

  • 公开/公告号CN1694184A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-11-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200510067239.1

  • 申请日2005-04-20

  • 分类号G11C16/06;G11C16/16;G06F12/00;

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人马莹;邵亚丽

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-12-17 16:42:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-12-25

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G11C16/06 申请公布日:20051109 申请日:20050420

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2007-05-23

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-11-09

    公开

    公开

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