用于减小寄生的基极－集电极电容的基极垫布局和使用该布局制造HBT的方法

摘要

本发明涉及用于减小寄生的基极－集电极电容的基极垫布局和使用该布局制造HBT的方法。本发明包括在相对于半导体衬底的(011)或(011)方向上排列的基极区；相对于所述基极区倾斜固定的基极垫区域；和在(010)方向上排列的并且连接所述基极区和所述基极垫区域的基极馈电区。根据本发明，通过简单的基极垫布局和能将有效基极区与基极垫区域分开的湿蚀刻可以减小由基极垫造成的基极－集电极电容。本发明使用常规的湿蚀刻方法来制造三重台面式HBT，该HBT仅包括对基极垫布局的修改，因而不需要额外的过程。