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机译:改进的建模和参数提取程序,重点在于集电极式HBT的外部电感和基极-集电极电容
Department of Electronic Engineering, Kun Shan University, Tainan 710, Taiwan, ROC;
device modeling; equivalent-circuit parameters; heterojunction bipolar transistors; parameter extraction;
机译:通过在非本征基极和集电极中使用埋入式SiO / sub 2 /和多晶GaAs降低基极-集电极电容的AlGaAs / GaAs HBT
机译:利用米勒效应确定HBT内部和外部基极-集电极电容的新方法
机译:高速InGaP / GaAs HBT使用简单的集电极底切技术来降低基极-集电极电容
机译:通过在非本征基极和集电极中使用埋入式SiO / sub 2 /和多晶GaAs降低基极-集电极电容的AlGaAs / GaAs HBT
机译:通过减少基极宽度和选择性外在基极再生长改善了HBT性能。
机译:使用石英晶体寄生电容补偿大大改善了小电感测量
机译:注意:测量螺旋谐振器的电容和电感,并通过互感改变提高其品质因数 ud
机译:改进的耗散磁芯上电感的电路模型。