一种用于浅沟槽隔离技术的化学机械抛光工艺

摘要

本发明属集成电路技术领域，具体是一种用于STI的新的CMP工艺，它采用可变压力，并将抛光工艺分为次抛光和主抛光二个工艺段，次抛光压力低于主抛光压力，以减少或避免划伤硅片，提高CMP的面内不均匀性，同时提高工艺稳定性。