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沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件制造工艺

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摘要

本发明公开了属于微电子器件制造技术范围的一种沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件制造工艺。这种工艺和体硅及SOI工艺完全兼容，只需在常规CMOS工艺基础上增加一块图形化注氧的掩膜版和在Si片上热生长或淀积注氧掩蔽层、用图形化注氧掩膜版光刻注氧掩蔽层、氧离子注入及高温退火形成掩埋SiO

1. 沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件制造工艺 [P] . 中国专利： CN1457088A . 2003-11-19
2. 沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件 [P] . 中国专利： CN2638246Y . 2004.09.01
3. Process for fabricating a strained channel MOSFET device [P] . 美国专利： US7898028B2 . 2011-03-01

机译：应变沟道MOSFET器件的制造工艺
4. Process for Fabricating a Strained Channel MOSFET Device [P] . 美国专利： US2007290277A1 . 2007-12-20

机译：应变沟道MOSFET器件的制造工艺
5. Process for fabricating a strained channel MOSFET device [P] . 美国专利： US7279430B2 . 2007-10-09

机译：应变沟道MOSFET器件的制造工艺