标定单晶硅晶圆晶向的方法

摘要

一种涉及微机械和微电子领域的用于标定单晶硅晶圆晶向的方法。通过一套精心设计的比对图案和随之而进行的预刻蚀加工,将晶圆的晶向清晰地暴露出来,通过观察不同的比对图案所形成的刻蚀结果,可以将晶圆的晶向标定误差控制在±0.1°之内,采用数字图象处理技术对刻蚀结果作进一步的处理,则该标定精度还可以提高到±0.05°或者更高的水平。