金属间介质半导体制造中氟硅玻璃薄膜的氧氮化硅盖层

摘要

提供半导体器件和在基片上形成构成图案的导电层的方法,以便防止氟物质从其上的氟硅玻璃层外流到上覆的光致抗蚀剂层,同时在光刻时抑制光波返回光致抗蚀剂层。在基片上依次涂敷导电层,介质衬垫,FSG层,防止氟物质穿过其中从FSG层外流并形成防反射涂层的氧氮化硅层,和光致抗蚀剂层。将后者曝光和显影以露出下伏的氧氮化硅层的图案部分。用单一蚀刻步骤去除暴露的氧氮化硅ARC层和FSG层及介质衬垫的相应的下伏部分以露出供金属化的导电层的图案部分。