Rensselaer Polytechnic Institute.;
机译:r.f.中通过RIE进行的硅表面区域氟化的特定特征CF_4等离子-一种改善PECVD氧化硅薄膜电性能的新颖方法
机译:在RF CF_(4)等离子体中通过RIE氟化硅表面区域来改善PECVD氧化物薄膜的电性能的新方法
机译:通过双束光导率研究了VHF-PECVD在玻璃基板上沉积的厚(> 1μm)硅膜中的氧气暴露后的可逆和不可逆效应
机译:水与PECVD沉积的氟掺杂氧化硅膜之间的相互作用
机译:PECVD氢化非晶硅膜和HWCVD氢化非晶硅膜的质子NMR研究。
机译:通过PECVD在镍金属化多孔硅上沉积的非晶硅薄膜的结晶
机译:氧对pECVD硼碳膜稳定性的影响