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脉冲离子束辅助淀积

摘要

本发明是一种用于在基片上淀积薄膜和涂层的高速商业规模的装置。PIBAD脉冲离子束辅助淀积过程不仅允许淀积,而且还充许薄膜和涂层的特殊方式的预淀积处理,这包括退火、熔化和再生长,冲击波处理和高压等离子体再淀积,所有这些都能改变最终产品的机械、粘结和腐蚀特性。

著录项

  • 公开/公告号CN1163581A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日1997-10-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 桑代公司;

    申请/专利号CN96190236.1

  • 发明设计人 里甘·W·斯廷耐特;

    申请日1996-01-23

  • 分类号B05C11/00;B05B1/32;B05C3/02;B05B3/06;C08F2/46;C23C8/00;C23C14/00;C23C16/00;H05H1/00;H05H1/24;

  • 代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人郑立

  • 地址 美国新墨西哥州

  • 入库时间 2023-12-17 12:56:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2001-08-22

    专利申请的视为撤回

    专利申请的视为撤回

  • 1998-04-29

    实质审查请求的生效

    实质审查请求的生效

  • 1997-10-29

    公开

    公开

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