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常旭; 宗祥福;
复旦大学国家微分析中心;
沉积速率模型; 聚焦离子束; VLSI; 集成电路;
机译:用粗糙度演变描述比较不同淀积速率的硅薄膜在CVD工艺中的生长机理
机译:REDOX新方法面上的淀积CrO_x纳米粒子的Pd(0) - 选择性氢化催化剂的苯乙炔
机译:第三代薄雾化学汽相淀积制备导电锑掺杂氧化锡薄膜(SnO_x:Sb)的研究
机译:CoO_x在CaTaO_2N薄膜上的光淀积以及晶面取向的控制及其对光电极特性的影响
机译:Ho积的历史:对Tilly的持久不平等理论的比较检验,以探索吉姆·克劳,民权和后民权时代的机会Ho积。
机译:探索与数字ho积行为相关的物理ho积认知行为模型的各个方面
机译:非可积量子场理论作为某些可积模型的扰动
机译:带状的汽相淀积衬底的工艺,该带具有一层阻挡氧化物透明的明矾气化的蒸发反应性明矾,并使反应气体进入用于汽相淀积的设备中。
机译:低温多晶硅薄膜的元件及其在低温下直接淀积的多晶硅薄膜的方法及其感应耦合等离子体化学气相淀积设备
机译:高速旋转汽相淀积装置及高速旋转汽相淀积薄膜形成方法
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