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公开/公告号CN111566491A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-21
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201980006756.8
发明设计人 哈利·马尔乔诺;霍雷拉·阿布;琳达·K·孙;
申请日2019-03-28
分类号
代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;
代理人宗晓斌
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 11:20:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-21
公开
机译: 带有火花路径的印刷电路板(PCB),用于电子模块的PCB上两个导电区域之间的过压保护,尤其是由静电放电(ESD)引起的过压保护
机译: 用于静电放电保护(ESD)分析的模具电路
机译: 片上电路用于静电放电保护(ESD)分析
机译:EMC·噪声尺寸系列(5)电路保护装置的运动趋势 - 需要保护电路免受静电放电(ESD)和雷电浪涌逐年增加的过电压,并在未来继续市场扩张
机译:一种新颖的带有公共放电线的片上静电放电(ESD)保护,适用于高速CMOS LSI
机译:自触发堆叠式可控硅整流器结构(STSSCR),用于片上静电放电(ESD)保护
机译:用于静电放电的绝缘体(SOI)绝缘栅极PN接线装置的装置模型(ESD)保护电路设计
机译:用于砷化镓异质结双极晶体管(HBT)射频集成电路(RFIC)的低负载电容片上静电放电(ESD)保护电路。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:CmOs片上静电放电保护电路,采用具有低EsD触发电压的四sCR结构
机译:静电放电(EsD)模拟器实验(用于EsD仿真电路的某些开关/继电器的测试)