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静电放电(ESD)保护电路和免受静电放电影响的方法

摘要

一种静电放电(ESD)保护电路(用于半导体系统中的受保护器件,受保护器件耦合在第一节点和第一参考电压之间)包括:耦合在第一节点和第一参考电压之间的ESD器件;包括第一输入和输出的逻辑块,第一输入耦合到第二参考电压,并且输出端耦合到ESD器件的输入端,以及耦合在第一节点和逻辑块的第二输入端之间的反馈控制电路。本发明的实施例涉及静电放电(ESD)保护电路和免受静电放电影响的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN110875306B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN201910808770.1

  • 发明设计人 林宛彥;陈柏廷;

    申请日2019-08-29

  • 分类号H01L27/02(20060101);

  • 代理机构11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司;

  • 代理人章社杲;李伟

  • 地址 中国台湾新竹

  • 入库时间 2022-08-23 12:57:29

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