首页> 中国专利> 一种MEMS压阻传感器的内建自测试装置及测试方法

一种MEMS压阻传感器的内建自测试装置及测试方法

摘要

本申请公开了一种MEMS压阻传感器的内建自测试装置及自测试方法,所述MEMS压阻传感器的内建自测试装置在对MEMS压阻传感器进行测试时,无需对MEMS压阻传感器施加物理激励即可实现传感器灵敏度的测量与计算,简化了MEMS压阻传感器的测试过程,提高了生产效率;并且同样由于MEMS压阻传感器的内建自测试装置无需借助片外设备对MEMS压阻传感器施加物理激励,实现了在测试过程中无需片外设备的目的,降低了测试成本以及生产成本。

著录项

  • 公开/公告号CN111238698A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN202010123778.7

  • 发明设计人 朱曼红;李佳;王玮冰;陈大鹏;

    申请日2020-02-27

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人张雪娇

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2023-12-17 09:29:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01L1/22 申请日:20200227

    实质审查的生效

  • 2020-06-05

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号