一种碳化硅器件原料的制造方法及使用该原料制备的碳化硅器件

摘要

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种碳化硅器件原料的制造方法及使用该原料制备的碳化硅器件。其中，碳化硅器件原料的制造方法为首先在n型SiC表面形成Ni层，第二层在Ni层表面形成NiO层，最后在非氧化环境(真空环境)中热处理。在热处理后形成Ni‑Si层。在热处理后，在HCl酸性环境中腐蚀掉NiO，然后在Ni‑Si层表面沉积铝层。因此在Ni‑Si层表面形成了Ni‑Al层。该方法的优点是低的接触电阻粘附在电极层和线性传输层之间，线性传输层在形成电极层中几乎不可分隔。