Zastosowanie dielektryków high-k w przyrządach mocy wytwarzanych w technologii węglika krzemu

摘要

This article describes the benefits of high-k dielectrics' application in silicon carbide (SiC) technology aimed for production of power MOSFETs. The importance of the finding a new dielectric material for SiC MIS structures is explained and the main application problems are disscussed. The stacked dielectric layers of Al_2O_3/SiO_2 and ZrO_2/SiO_2 manufactured by atomic layer deposition technique (ALD) on 4H-SiC substrates are then investigated by means of electrical methods useful in power device technology.%W artykule omówiono zalety zastosowania warstw dielektrycznych o wysokim współczynniku przenikalności elektrycznej osadzanych techniką ALD (ang. Atomie Layer Deposition) i praktyczne aspekty ich wykorzystania w przyrządach mocy typu MOSFET wytwarzanych w technologii węglika krzemu (SiC).