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含硼掺杂剂的低腐蚀坑密度砷化镓晶体

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摘要

用于含硼掺杂剂的低腐蚀坑密度砷化镓晶体的方法和体系可包括一种砷化镓单晶晶片，该晶片含有硼作为掺杂剂、腐蚀坑密度小于500cm

1. 含硼掺杂剂的低腐蚀坑密度砷化镓晶体 [P] . 中国专利： CN111321470A . 2020-06-23
2. 制造低腐蚀坑密度半绝缘砷化镓晶片的方法及其产品 [P] . 中国专利： CN101307501B . 2012.12.26
3. Low Etch Pit Density Gallium Arsenide Crystals With Boron Dopant [P] . 美国专利： US2020190697A1 . 2020-06-18

机译：含硼掺杂剂的低蚀刻坑密度砷化镓晶体
4. LOW ETCH PIT DENSITY 6 INCH SEMI-INSULATING GALLIUM ARSENIDE WAFERS [P] . 美国专利： US2020190696A1 . 2020-06-18

机译：低蚀刻坑密度6英寸半绝缘砷化镓晶片
5. GALLIUM ARSENIDE CRYSTAL OF LOW DEFECT DENSITY AND SEMIIINSULATION [P] . 日本专利： JPS56100410A . 1981-08-12

机译：低缺陷密度和半绝缘的砷化镓晶体