双垂直沟道晶体管、集成电路存储器及其制备方法

摘要

本发明提供一种双垂直沟道晶体管、集成电路存储器及其制备方法，其垂直鳍片中具有沿第一方向延伸的第一沟槽，第一源/漏区形成在所述第一沟槽两侧顶部的鳍片中，第二源/漏区形成在所述第一沟槽底部的鳍片中，第一栅极结构填充在所述第一沟槽中并沿所述第一方向延伸，埋入式导线填充在所述垂直鳍片沿第二方向延伸的侧壁处的第二沟槽中，由此使得所述第一沟槽两侧的第一源/漏区分别与第一沟槽底部上的第二源/漏区形成了双垂直L型沟道，有利于增加有效沟道长度，克服短沟道效应；且由于第二源/漏区及其电连接埋入式导线均位于晶体管底部，无需直接在从上表面引出，使晶体管外围的隔离更加容易形成，有利于减小器件面积，简化工艺，提高性能。