机译:具有纳米线沟道的非易失性Si / SiO_2 / SiN / SiO_2 / Si型多晶硅薄膜晶体管存储器,用于改善擦除特性
机译:具有氧化物/氮化物/氧化物堆叠栅极电介质和纳米线通道的非易失性多晶硅薄膜晶体管存储器
机译:具有使用纳米压印技术制造的周期性鳍状通道的非易失性多晶硅-薄膜晶体管-氧化硅-氮化物-氧化硅-硅存储器
机译:通过氟等离子体处理提高金属/ Al2O3 / HfO2 / SiO2 / Si结构非易失性闪存的性能
机译:多晶硅和SiO2薄膜的非Prestonian RRs和残余应力对各种类型的SiO2和Si 3N4薄膜的RRs的影响。
机译:基于Ω型栅极有机铁电P(VDF-TrFE)场效应晶体管的低可编程电压非易失性存储器件使用p型硅纳米线通道
机译:具有氧化物/氮化物/氧化物堆叠栅极电介质和纳米线通道的非易失性多晶硅薄膜晶体管存储器
机译:在siO2上区域熔化 - 再结晶多晶硅薄膜制备的N沟道深度耗尽金属氧化物半导体场效应晶体管