法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-04-05
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B25/16 申请公布日:20141224 申请日:20140722
发明专利申请公布后的视为撤回
2015-01-14
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B25/16 申请日:20140722
实质审查的生效
2014-12-24
公开
公开
机译: 使用初始支撑物制造复合SiCOI基板的方法,该支撑物支撑二氧化硅层,该二氧化硅层承载着碳化硅薄膜和外延生长的碳化硅薄膜,用于生产半导体器件
机译: 碳化硅-外延衬底,制备碳化硅的方法-外延生长衬底,制备碳化硅的方法-半导体器件,碳化硅-先于方向生长和碳化硅-先于方向生长元素
机译: 基于SIC薄膜的原位掺杂能够控制SI-MEMS的灵敏度,分辨率和响应速度的多晶碳化硅薄膜生长方法