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机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的Mg掺杂和In-Mg共掺杂的p型GaN外延层的特性
机译:用于高电子迁移率晶体管应用的通过金属有机化学气相沉积法生长的GaN / AlGaN外延层的特性
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机译:金属有机化学气相沉积法生长HgCdTe外延层的迁移谱分析
机译:基于外延锗层的金属氧化物半导体器件,通过超高真空化学气相沉积直接在硅衬底上选择性生长
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
机译:金属有机化学法生长的mg掺杂和In-mg共掺杂p型GaN外延层的特性气相沉积
机译:有机金属化学气相沉积mg掺杂GaN外延层的磁共振研究2。杂志文章