boron; growth mode; molecular beam epitaxy; polytypes; silicon; superlattice;
机译:使用Al-N_2O混合源分子束外延在化学氧化的Si(111)衬底上生长具有光滑表面的外延γ-Al_2O_3(111)膜
机译:氮化参数和初始生长条件对Si(111)基材上等离子体辅助分子束外延生长的GaN外延层极性的影响
机译:通过氮等离子体辅助分子束外延对Si(111)衬底的GaN生长初始阶段的特征
机译:Si在重硼掺杂Si(111)表面上Si的分子束外延生长:从初始阶段到Si Polytype的生长
机译:电子回旋共振等离子体辅助分子束外延在硅(111)衬底上生长和评估氮化镓。
机译:在分子束上形成的有序二维结构Ge在硅/ Ag(111)表面上的外延生长
机译:pb外延生长初始阶段的电导率 改性si(111)表面