法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-04-10
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L27/12 申请公布日:20141112 申请日:20140505
发明专利申请公布后的驳回
2014-12-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/12 申请日:20140505
实质审查的生效
2014-11-12
公开
公开
机译: 具有硅局部氧化的绝缘体上硅集成电路及其制造方法
机译: 具有蚀刻停止层的绝缘体上硅基板,其制造方法,在其上制造的绝缘体上硅集成电路以及使用该绝缘体上硅的绝缘体上集成电路的制造方法
机译: 具有蚀刻停止层的绝缘体上硅基板的制造方法,在其上制造的绝缘体上硅集成电路以及使用该绝缘体上硅的绝缘体上集成电路的制造方法