首页> 中国专利> 使用具有硅通孔的中介层衬底的芯片封装

使用具有硅通孔的中介层衬底的芯片封装

摘要

一种微电子封装,所述微电子封装包括由半导体衬底形成的具有硅通孔的中介层和耦连到所述中介层的一种或多种半导体裸片。在所述中介层的第一侧上所形成的第一信号再分布层将所述一个或多个半导体裸片电耦连到所述硅通孔。第二再分布层在所述中介层的第二侧上形成且电耦连到所述硅通孔。在一些实施例中,模塑复合物连接到所述中介层的边缘表面且配置为增加所述微电子封装的刚性。

著录项

  • 公开/公告号CN103887258A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 辉达公司;

    申请/专利号CN201310718109.4

  • 发明设计人 泽圭姜;

    申请日2013-12-23

  • 分类号H01L23/48(20060101);H01L23/29(20060101);H01L25/065(20060101);

  • 代理机构11336 北京市磐华律师事务所;

  • 代理人董巍;谢栒

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 00:01:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-15

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L23/48 申请公布日:20140625 申请日:20131223

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-07-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/48 申请日:20131223

    实质审查的生效

  • 2014-06-25

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号