一种高可靠性的铜柱凸块封装方法及其封装结构

摘要

本发明涉及一种高可靠性的铜柱凸块封装方法及其封装结构，属于半导体封装技术领域。其封装工艺如下：提供一带有芯片电极阵列及钝化层的芯片基体；在芯片基体表面沉积一介电层，并形成贯穿介电层的介电层通孔；在芯片电极的上方形成带有锡焊料帽的铜柱凸块，铜柱凸块的底部向下延伸并通过介电层通孔与芯片电极固连。本发明提供了一种降低局部应力、分散电流分布、提高可靠性的铜柱凸块封装方法及其封装结构。