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具有硅化物化源极-漏极区域的FINFET器件及其使用两步退火的制作方法

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摘要

热退火流程工艺包括如下步骤：在硅半导体结构上沉积金属或金属合金；执行快速热退火(RTA)类型的第一退火以在硅半导体结构的一部分中生成富金属相；去除未反应的金属或金属合金；以及以如下温度执行作为毫秒退火的第二退火，该温度低于在硅半导体结构中存在的硅材料的熔化温度。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-12-07

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/324 申请公布日:20140416 申请日:20131016

发明专利申请公布后的视为撤回
2014-05-14

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/324 申请日:20131016

实质审查的生效
2014-04-16

公开

公开

1. 具有硅化物化源极-漏极区域的FINFET器件及其使用两步退火的制作方法 [P] . 中国专利： CN103730352A . 2014-04-16
2. 具有准自对准源极/漏极FinFET的半导体器件及其形成方法 [P] . 中国专利： CN1967812A . 2007-05-23
3. Finfet device with silicided source-drain regions and method of making same using a two step anneal [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2722893A1 . 2014-04-23

机译：具有硅化的源极-漏极区的Finfet器件及其使用两步退火的方法
4. Method and structure to prevent silicide strapping of source/drain to body in semiconductor devices with source/drain stressor [P] . 美国专利： US7405131B2 . 2008-07-29

机译：在具有源极/漏极应力源的半导体器件中，防止硅化物将源极/漏极束缚在主体上的方法和结构
5. Method and structure to prevent silicide strapping of source/drain to body in semiconductor devices with source/drain stressor [P] . 美国专利： US2007020864A1 . 2007-01-25

机译：在具有源极/漏极应力源的半导体器件中，防止硅化物将源极/漏极束缚在主体上的方法和结构