机译:N沟道FinFET,栅极长度为25 nm,肖特基势垒源极和漏极采用硅化Y
机译:具有自对准PtSi源/漏和电结的高性能p沟道肖特基势垒SOI FinFET
机译:具有硅化肖特基势垒源和重掺杂n型沟道和漏极的n型非对称肖特基势垒晶体管的特性
机译:带肖特基势垒源/漏极的30nm FinFET,具有互补的金属硅化物和P-FinFet的全硅化栅极
机译:离子通量(剂量率)在10 nm节点FinFET上的源漏扩展离子注入中的作用以及在300 / 450mm平台上的影响
机译:在存在随机界面陷阱的情况下16nm栅极高κ/金属栅极体FinFET器件的电特性波动
机译:100Å互补硅化物源极/漏极薄体mOsFET,适用于20nm栅极长度范围