法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-06-24
授权
授权
2014-03-26
实质审查的生效 IPC(主分类):C01G49/00 申请日:20131104
实质审查的生效
2014-02-26
公开
公开
机译: Zn和Ti掺杂BiFeO3薄膜的制备方法
机译: 用于通过使用原子层沉积方法向氧化物薄膜掺杂卤素的卤素掺杂源,用于制造卤素用于通过使用原子层沉积来对氧化物薄膜进行卤素掺杂的卤素掺杂源的方法,以及通过使用用于掺杂氧化物薄膜的方法制造的掺杂卤素的氧化物薄膜。含卤素
机译: 用于原子层沉积的带有氧化物元素的氧化物薄膜部分的卤化物掺杂源,用于制造卤素掺杂源的方法,具有用于沉积的氧化物层的原子层材料的氧化物与薄膜的掺杂的方法用卤代氧掺杂氧化薄膜的方法