氮化物半导体层生长用结构、层叠结构、氮化物系半导体元件及光源以及它们的制造方法

摘要

本申请公开的氮化物半导体层生长用结构具备以m面为生长面的蓝宝石基板、在蓝宝石基板的生长面上形成的多个脊状的氮化物半导体层，在多个脊状的氮化物半导体层的各自之间配置的凹部的底面为蓝宝石基板的m面，多个脊状的氮化物半导体层的生长面为m面，多个脊状的氮化物半导体层的延伸方向与蓝宝石基板的c轴所成的角度的绝对值为0度以上且35度以下。