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具有集成式错误校正的DRAM存储器

摘要

存储器模块(100)包含存储器阵列(101),所述存储器阵列(101)具有耦合到所述存储器阵列(101)的主要存取端口(103)。错误校正逻辑(102)耦合到所述存储器阵列(101)。统计数据寄存器(111)耦合到所述错误校正逻辑(102)。次要存取端口(112)耦合到所述统计数据寄存器(111)以允许通过外部装置(120)对所述统计数据寄存器(111)进行存取而不使用所述主要存取端口(103)。

著录项

  • 公开/公告号CN110546617A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-12-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 德州仪器公司;

    申请/专利号CN201880027666.2

  • 发明设计人 S·S·科塔马苏;

    申请日2018-04-27

  • 分类号

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人林斯凯

  • 地址 美国德克萨斯州

  • 入库时间 2024-02-19 15:57:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F11/10 申请日:20180427

    实质审查的生效

  • 2019-12-06

    公开

    公开

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