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Accessing Error Statistics From DRAM Memories Having Integrated Error Correction

机译:从具有集成纠错功能的DRAM存储器访问错误统计信息

摘要

In described examples, a memory module includes a memory array with a primary access port coupled to the memory array. Error correction logic is coupled to the memory array. A statistics register is coupled to the error correction logic. A secondary access port is coupled to the statistics register to allow access to the statistics register by an external device without using the primary interface.
机译:在所描述的示例中,存储模块包括具有与存储阵列耦合的主访问端口的存储阵列。纠错逻辑耦合到存储器阵列。统计寄存器耦合到纠错逻辑。辅助访问端口耦合到统计寄存器,以允许外部设备在不使用主接口的情况下访问统计寄存器。

著录项

  • 公开/公告号US2020183787A1

    专利类型

  • 公开/公告日2020-06-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED;

    申请/专利号US202016789672

  • 发明设计人 SIVA SRINIVAS KOTHAMASU;

    申请日2020-02-13

  • 分类号G06F11/10;G11C29/52;G06F13/16;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 11:27:42

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