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闪存的源端通孔电阻的晶圆允收测试图形

摘要

本发明涉及一种闪存的源端通孔电阻的晶圆允收测试图形,涉及半导体集成电路,通过在闪存的源端通孔电阻的晶圆允收测试图形中设计位于半导体衬底上的连接有源区和场氧的源区行线以及源区行线的断开结构,构成由源端通孔、源区行线和连接金属层形成电连接通路,以构成源端通孔电阻测试结构,从而真实模拟了闪存单元包括AA/CG/SAS/CT/M1的复杂结构,因此能更加准确的监控闪存单元上源端通孔的电阻。

著录项

  • 公开/公告号CN110289250A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-09-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN201910404531.X

  • 发明设计人 张金霜;邹荣;王奇伟;陈昊瑜;

    申请日2019-05-16

  • 分类号H01L23/544(20060101);G01R31/28(20060101);

  • 代理机构31211 上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人郭四华

  • 地址 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

  • 入库时间 2024-02-19 14:03:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/544 申请日:20190516

    实质审查的生效

  • 2019-09-27

    公开

    公开

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