具有氮化硅栅极到栅极电介质层的存储堆叠体及其形成方法

摘要

公开了3D存储器件的实施例及其形成方法。在示例中，一种3D存储器件包括衬底、存储堆叠体以及NAND存储器串。所述存储堆叠体包括衬底上方的多个交错栅极导电层和栅极到栅极电介质层。每个所述栅极到栅极电介质层包括氮化硅层。所述NAND存储器串垂直延伸穿过所述存储堆叠体的交错栅极导电层和栅极到栅极电介质层。