机译:原子层沉积氮化硅/ SiO_2叠层-用于先进CMOS技术的高电势栅极电介质
机译:原子层沉积氮化硅/ SiO {sub} 2堆叠栅极电介质,用于高度可靠的p-金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:用于高可靠性的P金属 - 氧化物半导体场效应晶体管的原子层沉积硅 - 氮化硅/ SiO {Sub} 2堆叠栅极电介质
机译:软击穿无原子层沉积氮化硅/ SiO / sub 2 /堆叠栅电介质
机译:具有通过RPECVD制备的堆叠氧化物/氮化物和氮氧化物栅极电介质的CMOS器件的故障和可靠性。
机译:酸性水电化学环境中Si / SiO2阴极的介电击穿和击穿后溶解
机译:超薄H型栅堆叠中的介电击穿:电阻切换现象