法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-12
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/32 申请日:20190228
实质审查的生效
2019-06-18
公开
公开
机译: 在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
机译: 表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
机译: 通过在衬底上外延生长来制造氮化物单晶的方法,该方法防止衬底边缘上的生长