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用于提高数据可靠性的非易失性存储器件及其操作方法

摘要

非易失性存储器件包括多个字线和电压发生器。一些字线对应于劣化区域。电压发生器被配置为产生通过字线提供给多个存储单元的编程电压。由非易失性存储器件实现的控制逻辑被配置为控制字线上的编程操作和擦除操作。劣化区域包括第一组字线和第二组字线。控制逻辑被配置为控制编程序列,使得在编程相邻的第一组字线之后编程第二组字线的每个,并控制分布使得对应于第一组字线的每个的擦除状态的阈值电压电平高于对应于第二组字线的每个的擦除状态的阈值电压电平。

著录项

  • 公开/公告号CN109872761A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-06-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN201811180742.1

  • 发明设计人 金承范;李悳雨;郭东勋;

    申请日2018-10-09

  • 分类号G11C16/34(20060101);G11C16/10(20060101);G11C16/14(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人钱大勇

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2024-02-19 10:24:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-06-11

    公开

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