高压GaN高电子迁移率晶体管

摘要

描述了高压氮化镓HEMT，其能够承受至少900V的反向偏置电压，并且在一些情况下，能够承受超过2000V的反向偏置电压，同时具有低的反向偏置漏电流。HEMT可以包括具有栅极、栅极连接场板和源极连接场板的横向几何结构。