一种大尺寸高纯碳化硅单晶、单晶衬底及其制备方法

摘要

本申请公开了一种大尺寸高纯碳化硅单晶、单晶衬底及其制备方法，属于碳化硅单晶、单晶衬底领域。该大尺寸高纯碳化硅单晶的制备方法包括下述步骤：将装填碳化硅粉料的坩埚安装籽晶单元后，坩埚置于密闭保温结构的腔内，移至晶体生长装置内；后经除杂阶段、长晶阶段，制得高纯半绝缘碳化硅单晶。将高纯半绝缘碳化硅单晶经切割、研磨和抛光制得半绝缘碳化硅单晶衬底。该大尺寸高纯碳化硅单晶、单晶衬底的制备方法中使用不同壁厚的坩埚及不同厚度的保温结构制造出轴向温度梯度，同时改变坩埚上侧的保温结构，从而制造出径向温度分布一致的热场，可制得4‑12寸的大尺寸碳化硅单晶、单晶衬底，且制备的大尺寸高纯碳化硅单晶、单晶衬底的电阻率均匀、内应力小。