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Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California
Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California
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1.
Modeling Growth Directional Features of Silicon Nanowires Obtained Using SiO
机译:
使用SiO获得的硅纳米线的生长方向特征建模
作者:
T. Y. Tan
;
S. T. Lee
;
U. Goesele
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
2.
Theoretical Investigation of Nitrogen-Doping Effect on Native Defect Aggregation Processes in Silicon
机译:
氮掺杂对硅中自然缺陷聚集过程的理论研究
作者:
H. Kageshima
;
A. Taguchi
;
K. Wada
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
3.
THERMAL EVOLUTION OF DEUTERIUM IN 4H-SIC
机译:
氘在4H-SIC中的热演化
作者:
R. Delamare
;
E. Ntsoenzok
;
T. Sauvage
;
A. Shiryaev
;
A. van Veen
;
Ch. Duhois
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
4.
The role of interfaces in thin-film CdTe solar cells
机译:
界面在薄膜CdTe太阳能电池中的作用
作者:
M. J. Romero
;
T. A. Gessert
;
M. M. Al-Jassim
;
R. G. Dhere
;
D.S. Albin
;
H. R. Moutinho
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
5.
The Effect of Defects and Dopants on Thermal Conduction in GaN Films
机译:
缺陷和掺杂剂对GaN薄膜导热的影响
作者:
J. Zou
;
D. Kotchetkov
;
A.A. Balandin
;
D.I. Florescu
;
F.H. Pollak
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
6.
STM Nanospectroscopic Study of Defects in Semiconductors
机译:
半导体缺陷的STM纳米光谱研究
作者:
Koji Maeda
;
Akira Hida
;
Yutaka Mera
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
7.
Self- and Dopant Diffusion in Extrinsic Boron Doped Isotopically Controlled Silicon Multilayer Structures
机译:
外在硼掺杂同位素控制的硅多层结构中的自扩散和掺杂扩散。
作者:
Ian D. Sharp
;
Hartmut A. Bracht
;
Hughes H. Silvestri
;
Samuel P. Nicols
;
Jeffrey W. Beeman
;
John L. Hansen
;
Arne Nylandsted Larsen
;
Eugene E. Haller
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
8.
Raman and optical absorption studies of silicon carbide structure damage by ion implantation
机译:
离子注入对碳化硅结构破坏的拉曼光谱和光吸收研究
作者:
Claudiu I. Muntele
;
Iulia C. Muntele
;
D. ILA
;
David B. Poker
;
Dale K. Hensley
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
9.
Raman Scattering Spectra in Be-Implanted GaN Epilayers
机译:
注入的GaN外延层中的拉曼散射光谱
作者:
L. S. Wang
;
W. H. Sun
;
S. J. Chua
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
10.
Probing the Al_cGa_(1-c)N Atomic Distribution via UV-Photoluminescence and Raman at Sub-Jim Scale
机译:
通过紫外光致发光和拉曼光谱在亚吉级范围内探测Al_cGa_(1-c)N原子分布
作者:
Leah Bergman
;
Xiang-Bai Chen
;
Tim Householder
;
David McIlroy
;
Wei Jiang Yen
;
Stephen Terrell
;
Robert F. Davis
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
11.
DOPING OF OXIDIZED FLOAT ZONE SILICON BY THERMAL DONORS - A LOW THERMAL BUDGET DOPING METHOD FOR DEVICE APPLICATIONS ?
机译:
用热供体对氧化的浮动带状硅进行掺杂-一种用于设备的低热预算掺杂方法?
作者:
R. JOB
;
A.G. ULYASHIN
;
Y.L. HUANG
;
W.R. FAHRNER
;
E. SIMOEN
;
C. CLAEYS
;
F.-J. NIEDERNOSTHEIDE
;
H.-J. SCHULZE
;
G. TONELLI
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
12.
COMPARATIVE RAMAN AND TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY ANALYSIS OF THE EVOLUTION OF PLATELET DEFECTS IN PLASMA HYDROGENATED AND ANNEALED CZOCHRALSKI SILICON
机译:
等离子体加氢和退火后的直晶硅片缺陷演变的拉曼和透射电子显微镜比较
作者:
R. JOB
;
M.-F. BEAUFORT
;
J.-F. BARBOT
;
A. G. ULYASHIN
;
W. R. FAHRNER
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
13.
Comparative Investigation of Photoluminescence of In- and Si- doped GaN/AlGaN Multi-Quantum Wells
机译:
In和Si掺杂的GaN / AlGaN多量子阱的光致发光比较研究
作者:
W. H. Sun
;
L. S. Wang
;
S. J. Chua
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
14.
Comparative Analysis of MBE-grown GaN Films on SiC, ZnO and LiGaO_2 Substrates
机译:
SiC,ZnO和LiGaO_2衬底上MBE生长的GaN膜的比较分析
作者:
F. Yun
;
M. A. Reshchikov
;
L. He
;
T. King
;
D. Huang
;
H. Morkoc
;
Jeff Nause
;
Gene Cantwell
;
H. Paul Maruska
;
C. W. Litton
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
15.
Defect Engineering in CCD Image Sensors
机译:
CCD图像传感器中的缺陷工程
作者:
William C. McColgin
;
Lingadahalli G. Shantharama
;
James P. Lavine
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
16.
Defect Accumulation and Recovery in Ion-Implanted 6H-SiC
机译:
离子注入6H-SiC中的缺陷累积和恢复
作者:
W. Jiang
;
W. J. Weber
;
C. M. Wang
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
17.
Deep level study in epitaxial 4H-SiC grown on substrates inclined toward <1 100>
机译:
在向<1100>倾斜的衬底上生长的外延4H-SiC的深层研究
作者:
Masashi Kato
;
Masaya Ichimura
;
Eisuke Arai
;
Shigehiro Nishino
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
18.
CONTROL OF VALENCE STATES FOR ZnO and ZnS WITH A WIDE-BAND GAP BY A CODOPING METHOD
机译:
用共掺杂法控制宽禁带对ZnO和ZnS的价态
作者:
T. Yamamoto
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
19.
Carrier dynamics in spatially ordered In As quantum dots
机译:
空间有序In As量子点中的载流子动力学
作者:
Joerg Siegert
;
Saulius Marcinkevicius
;
Andreas Gaarder
;
Rosa Leon
;
Sergio Chaparro
;
Shane R. Johnson
;
Carlos Navarro
;
Xu Jin
;
Yong-Hang Zhang
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
20.
Characterization of Deep Levels in 3C-SiC by Optical-Capacitance-Transient Spectroscopy
机译:
电容瞬态光谱法表征3C-SiC中的深能级
作者:
Y. Nakakura
;
M. Kato
;
M. Ichimura
;
E. Aral
;
Y. Tokuda
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
21.
Characterization of SiC Implanted with B or Al Using Thermal Admittance Spectroscopy
机译:
热导率光谱法表征注入B或Al的SiC
作者:
S.R. Smith
;
M.A. Capano
;
A.O. Evwaraye
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
22.
Charges and Dipoles at Semiconductor Interfaces
机译:
半导体接口上的电荷和偶极子
作者:
Raymond T. Tung
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
23.
An Study of Influence of Imperfections on the Delamination of Diamond-Like Carbon Films
机译:
缺陷对类金刚石碳膜分层影响的研究
作者:
Myoung-Woon Moon
;
Kyang-Ryel Lee
;
Jin-Won Chung
;
Kyu Hwan Oh
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
关键词:
chemical vapor deposition (CVD);
defect;
delamination;
FIB;
24.
Application Of Room-Temperature Photoluminescence For Characterizing Thermally Processed Cz Silicon Wafers
机译:
室温光致发光在表征热处理Cz硅晶圆中的应用
作者:
F. Kirscht
;
B. Orschel
;
S. Kim
;
S. Rouvimov
;
B. Snegirev
;
M. Fletcher
;
M. Shabani
;
A. Buczkowski
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
25.
Analysis of Cu traces in Si using Transient Ion Drift combined with Rapid Thermal Annealing
机译:
瞬态离子漂移与快速热退火相结合分析硅中的铜
作者:
T.Heiser
;
A. Belayachi
;
E. Pihan
;
A.Kempf
;
S.Bourdais
;
P.Bloechl
;
A.Huber
;
B. Semmache
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
26.
Native Defect Formation and lonization Energies in Cadmium Telluride
机译:
碲化镉中的天然缺陷形成和电离能
作者:
John E. Jaffe
;
Mary Bliss
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
27.
Microstructure and optical properties of GaN films grown on porous SiC substrate by MBE
机译:
MBE在多孔SiC衬底上生长的GaN薄膜的微观结构和光学性质
作者:
F. Yun
;
M. A. Reshchikov
;
L. He
;
T. King
;
D. Huang
;
H. Morkoc
;
C. K. Inoki
;
T. S. Kuan
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
28.
Low-Temperature Properties of Compensated Ge Films Used for Cryogenic Thermometers
机译:
低温温度计用补偿锗薄膜的低温性能
作者:
V. F. Mitin
;
V. V. Kholevchuk
;
V. K. Dugaev
;
M. Vieira
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
29.
Injection of point defects by oxidation of AlGaAs
机译:
通过AlGaAs的氧化注入点缺陷
作者:
Danielle R. Chamberlin
;
Scott A. McHugo
;
Dariusz Burak
;
Deyon Burke
;
Tim Osentowski
;
S. Jeffrey Rosner
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
30.
Influences of Lattice Sinks and Defect Interactions on Solutes in Compounds
机译:
晶格沉和缺陷相互作用对化合物溶质的影响
作者:
Gary S. Collins
;
Matthew O. Zacate
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
31.
Influence of substrate surface morphology on defect generation during silicon carbide single crystal growth
机译:
衬底表面形态对碳化硅单晶生长过程中缺陷产生的影响
作者:
Myung Yoon Um
;
Jae Kyeong Jeong
;
Bum Seok Kim
;
Hoon Joo Na
;
In Bok Song
;
Hyeong Joon Kim
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
32.
Gettering by Overpressurized Bubbles Induced by High-Energy-He-Implantation In Silicon
机译:
高能氦注入硅引起的超压气泡吸收
作者:
Gabrielle Regula
;
Rachid El Bouayadi
;
Bernard Pichaud
;
Sylvie Godey
;
Romain Delamare
;
Esidor Ntsoenzok
;
Anton Van Veen
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
33.
First-Principles Simulation of Hydrogen Interaction in Amorphous Silicon Nitride
机译:
非晶态氮化硅中氢相互作用的第一性原理模拟
作者:
Peter Kroll
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
34.
Evolution of nucleation sites and bubble precursors in silicon as a function of helium implanted dose
机译:
硅中成核位点和气泡前体的演变与注入氦气的剂量的关系
作者:
Changlong Liu
;
R. Delamare
;
E. Ntsoenzok
;
G. Regula
;
B. Pichaud
;
A.Van Veen
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
35.
xDefects Induced by Helium Implantation: Interaction with Boron and Phosphorus
机译:
x氦气注入引起的缺陷:与硼和磷的相互作用
作者:
F. Cayrel
;
D. Alquier
;
F. Roqueta
;
L. Ventura
;
C. Dubois
;
D. Mathiot
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
36.
Trapping and Detrapping of H in Si: Impact on Diffusion Properties and Solar Cell Processing
机译:
H在Si中的俘获和去俘获:对扩散特性和太阳能电池加工的影响
作者:
Bhushan Sopori
;
Y. Zhang
;
R. Reedy
;
K. Jones
;
N. M. Ravindra
;
S. Rangan
;
S.Ashok
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
37.
The Strain relaxation and dislocation density of SiGe films in micron size window with different mask material grown by MBE
机译:
MBE生长的不同掩膜材料在微米窗口内SiGe薄膜的应变弛豫和位错密度
作者:
Xiang-jiu Zhang
;
Hui Xiong
;
Jihuang Hu
;
Zuiming Jiang
;
Yongliang Fan
;
Jun Lin
;
Yuerui Chen
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
38.
The Elimination of Ion Implantation Damage at the Source/Drain Junction of Poly-Si TFTs
机译:
消除多晶硅TFT源极/漏极结处的离子注入损伤
作者:
Sang-Hoon Jung
;
Min-Cheol Lee
;
Kee-Chan Park
;
Min-Koo Han
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
39.
Study of Er-related Defects in a-Si:H(Er) Films Used in Light Emitting Heterostructures
机译:
发光异质结构用a-Si:H(Er)薄膜中Er相关缺陷的研究
作者:
A.Nazarov
;
Ja.Vovk
;
V.Lysenko
;
O.Konkov
;
E.Terukov
;
S.Ashok
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
40.
Roughness of electronic interfaces in GaAs p-n multilayers investigated by cross-sectional scanning tunneling microscopy
机译:
截面扫描隧道显微镜研究GaAs p-n多层电子界面的粗糙度
作者:
N. D. Jaeger
;
K. Urban
;
E. R. Weber
;
Ph. Ebert
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
41.
Radiation hardness of AlGaN/GaN based HEMTs
机译:
AlGaN / GaN基HEMT的辐射硬度
作者:
S.A.Vitusevich
;
N.Klein
;
A.E.Belyaev
;
S.V.Danylyuk
;
M.V.Petrychuk
;
R.V.Konakova
;
A.M.Kurakin
;
A.E.Rengevich
;
A.Yu.Avksentyev
;
B.A.Danilchenko
;
V.Tilak
;
J.Smart
;
A.Vertiatchikh
;
L.F.Eastman
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
42.
Recent Progresses in Understanding Gettering in Silicon
机译:
了解硅吸杂的最新进展
作者:
T. Y. Tan
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
43.
Possible shallowing of nitrogen donors in diamond
机译:
钻石中氮供体可能变浅
作者:
Takehide Miyazaki
;
Tsuyoshi Uda
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
44.
Optical Methods for Defect Characterization in Light-Ion Implanted Silicon Carbide
机译:
离子注入碳化硅缺陷表征的光学方法
作者:
Claudiu I. Muntele
;
Iulia C. Muntele
;
Daryush Ila
;
David B. Poker
;
Dale K. Hensley
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
45.
Perturbation of Copper Substitutional Defect Concentrations in CdS/CdTe Heterojunction Solar Cell Devices
机译:
CdS / CdTe异质结太阳能电池器件中铜取代缺陷浓度的扰动
作者:
D. Albin
;
R. Dhere
;
X. Wu
;
T. Gessert
;
M.J. Romero
;
Y. Yan
;
S. Asher
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
46.
Photo-induced Dissociation and Optical Cross Section of Si-H and S-H Complexes in GaAs and AlGaAs
机译:
GaAs和AlGaAs中Si-H和S-H配合物的光致离解和光学截面
作者:
M.Barbe
;
F.Bailly
;
J.Chevallier
;
S.Silvestre
;
D.Loridant-Bernard
;
L.Kurowski
;
E.Constant
;
M.Constant
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
47.
Photoluminescence and Infrared Absorption Study of Isoelectronic Impurity Passivation by Hydrogen
机译:
氢等离子杂质钝化的光致发光和红外吸收研究
作者:
M. Capizzi
;
A. Polimeni
;
G. Baldassarri Hoegher von Hoeghersthal
;
M. Bissiri
;
A. Amore Bonapasta
;
F. Jiang
;
M. Stavola
;
M. Fischer
;
A. Forchel
;
I.K. Sou
;
W.K. Ge
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
48.
Partial annealing of defects in boron-implanted p-type silicon by hydrogen implantation
机译:
氢注入硼注入的p型硅中的缺陷的部分退火
作者:
Yutaka Tokuda
;
Hiroyuki Iwata
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
49.
Nitrogen-Stabilized H_2~* Defects in GaP:N
机译:
GaP:N中的氮稳定化H_2〜*缺陷
作者:
A. Janotti
;
S. B. Zhang
;
Su-Huai Wei
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
50.
Multiple Donors in Zinc Oxide Substrates
机译:
氧化锌基板中的多个施主
作者:
K. Thonke
;
N. Kerwien
;
A. Wysmolek
;
M. Potemski
;
A. Waag
;
R. Sauer
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
51.
Low-temperature operation of diamond surface-channel field-effect transistors
机译:
金刚石表面沟道场效应晶体管的低温工作
作者:
Minoru Tachiki
;
Hiroaki Ishizaka
;
Tokishige Banno
;
Toshikatsu Sakai
;
Kwang-Soup Song
;
Hitoshi Umezawa
;
Hiroshi Kawarada
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
52.
Laser Engineering of Barrier Structures Based on Solid Solution ZnCdHgTe
机译:
基于固溶ZnCdHgTe的势垒结构激光工程
作者:
Galina Khlyap
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
53.
Incorporation of Highly Concentrated Iron Impurities in InP by High Temperature Ion Implantation
机译:
通过高温离子注入在InP中引入高浓度铁杂质
作者:
T. Cesca
;
A. Gasparotto
;
N. El Habra
;
A. Coati
;
B. Fraboni
;
F. Priolo
;
E.C. Moreira
;
G. Ciatto
;
C. Bocchi
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
54.
Influence of Be Doping on Material Properties of Low-Temperature-Grown GaAs
机译:
掺杂对低温生长GaAs材料性能的影响
作者:
Saulius Marcinkevicius
;
Andreas Gaarder
;
Joerg Siegert
;
Jean-Francois Roux
;
Jean-Louis Coutaz
;
Agnieszka Wolos
;
Maria Kaminska
;
Ramunas Adomavicius
;
Klemensas Bertulis
;
Arunas Krotkus
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
55.
Hydrogen Platelet Layer in Silicon Formed from Hydrogen Trapped onto Microbubbles of Gases
机译:
氢气被困在气体微气泡中形成的硅中的氢血小板层
作者:
A.Y. Usenko
;
W.N. Carr
;
Bo Chen
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
56.
High Doped p-Type GaN Grown by Alternative Co-Doping Technique
机译:
通过替代共掺杂技术生长的高掺杂p型GaN
作者:
Souhachi Iwai
;
Hideki Hirayama
;
Yoshinobu Aoyagi
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
57.
FABRICATION OF p-TYPE ZnS WITH BLUE-Ag EMISSION BY TRIPLE-CODOPINGMETHOD
机译:
三重共生泛蓝法制备蓝银发射p型ZnS
作者:
S. Kishimoto
;
T. Yamamoto
;
S. Iida
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
58.
Functional voids by gas ion implantation for applications in semiconductor processing
机译:
气体离子注入产生的功能性空隙,用于半导体工艺
作者:
V. Raineri
;
E. Rimini
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
59.
Formation and Properties of Three Copper Pairs in Silicon
机译:
硅中三个铜对的形成和性质
作者:
S.K. Estreicher
;
D. West
;
J.M. Pruneda
;
S. Knack
;
J. Weber
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
60.
Efficient silicon light emitting diodes made by dislocation engineering
机译:
通过位错工程制造的高效硅发光二极管
作者:
M. A. Lourenco
;
R. M. Gwilliam
;
G. Shao
;
K.P. Homewood
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
61.
Effects of Hydrogen on the Deep Levels in Si, ZnO and Diamond Studied by Cathodoluminescence
机译:
氢对阴极发光研究Si,ZnO和金刚石深层水平的影响
作者:
Takashi Sekiguchi
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
62.
Electrical Characterization of Laser-Irradiated 4H-SiC Wafer
机译:
激光辐照4H-SiC晶片的电学特性
作者:
I. Salama
;
N. R Quick
;
A. Kar
;
Gilyong Chung
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
63.
Electrical and Optical Properties of Carbon-Doped GaN Grown by MBE on MOCVD GaN Templates Using a CCl_4 Dopant Source
机译:
MBE在使用CCl_4掺杂源的MOCVD GaN模板上通过MBE生长的碳掺杂GaN的电学和光学特性
作者:
Rob Armitage
;
Qing Yang
;
Henning Feick
;
Yeonjoon Park
;
Eicke R. Weber
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
64.
Electrical Signature of Ion-Implantation Induced Defects in n-Silicon in the Defect Cluster Regime Studied using DLTS and Isothermal Transient Spectroscopies
机译:
DLTS和等温瞬态光谱法研究缺陷团簇状态下硅中离子注入引起的缺陷的电学特征
作者:
Samarendra P. Singh
;
Vineet Rao
;
Y. N. Mohapatra
;
Sanjay Rangan
;
S. Ashok
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
65.
Electron-beam-induced reactivation of Si dopants in hydrogenated and deuterated 2D AlGaAs heterostructures. Application to the fabrication of nanostructures
机译:
电子束诱导的氢化和氘代2D AlGaAs异质结构中Si掺杂剂的再活化。在纳米结构制造中的应用
作者:
L. Kurowski
;
S. Silvestre
;
D. Loridant-Bernard
;
E. Constant
;
M. Barbe
;
J. Chevallier
;
M. Constant
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
66.
Dopant and Self-Diffusion in Extrinsic n-Type Silicon Isotopically Controlled Heterostructures
机译:
外在n型硅同位素控制的异质结构中的掺杂剂和自扩散
作者:
Hughes H. Silvestri
;
Ian D. Sharp
;
Hartmut A. Bracht
;
Sam P. Nicols
;
Jeff W. Beeman
;
John Hansen
;
Arne Nylandsted-Larsen
;
Eugene E. Haller
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
67.
Dose Rate and Temperature Dependence of Ion-Beam-Induced Defect Evolution in Si and SiC
机译:
Si和SiC中离子束诱导的缺陷演化的剂量率和温度依赖性
作者:
M. Posselt
;
L. Bischoff
;
J. Teichert
;
A. Ster
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
68.
Comparison of deep level spectra of MBE- and MOCVD-grown InGaAsN
机译:
MBE和MOCVD生长的InGaAsN的深能级光谱比较
作者:
R. J. Kaplar
;
S. A. Ringel
;
Steven R. Kurtz
;
A. A. Allerman
;
J. F. Klem
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
69.
Comparative Study of trap levels observed in undoped and Si-doped GaN
机译:
在未掺杂和硅掺杂的GaN中观察到的陷阱能级的比较研究
作者:
C. B. Soh
;
D. Z. Chi
;
H. F. Lim
;
S. J. Chua
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
70.
Correlation of Surface Morphologies with Mn Compositions of Ga_(1-x)Mn_xAs Epilayers Grown by Liquid Phase Epitaxy
机译:
液相外延生长Ga_(1-x)Mn_xAs外延层的Mn组成与表面形貌的相关性
作者:
Hwa-Mok Kim
;
Jae-Hyeon Leem
;
Sung Woo Choi
;
Deuk Young Kim
;
Tae-Won Kang
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
关键词:
LPE;
as-grown;
surface morphology;
mn composition;
Ga_(1-x)Mn_xAs;
energy-dispersive x-ray analysis (EDS);
atomic forced microscopy (AFM);
71.
Behavior of copper in CdGeAs_2 crystals
机译:
CdGeAs_2晶体中铜的行为
作者:
Valeriy G.Voevodin
;
Olga V.Voevodina
;
Svetlana A.Bereznaya
;
Zoya V.Korotchenko
;
Melvin C. Ohmer
;
Jonathan T. Goldstein
;
Nils C. Fernelius
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
72.
Application of X-ray synchrotron techniques to the characterization of the chemical nature and recombination activity of grown-in and process-induced defects and impurities in solar cells
机译:
X射线同步加速器技术在表征太阳能电池中生长和过程诱发的缺陷和杂质的化学性质和重组活性方面的应用
作者:
T. Buonassisi
;
O.F.Vyvenko
;
A.A.Istratov
;
E.R.Weber
;
R.Schindler
会议名称:
《Symposium on Defect and Impurity Engineered Semiconductors and Devices III, Apr 1-5, 2002, San Francisco, California》
|
2002年
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