首页> 外文OA文献 >Growth process and nanostructure of crystalline GaAs on Si(1 1 0) surface prepared by molecular beam epitaxy

【2h】

Growth process and nanostructure of crystalline GaAs on Si(1 1 0) surface prepared by molecular beam epitaxy

机译：分子束外延法制备Si（1 1 0）表面GaAs晶体的生长过程和纳米结构

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Usui Hiroyuki; Ishiji Kotaro; Yasuda Hidehiro; Mori Hirotaro;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2006
总页数
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Growth process and nanostructure of crystalline GaAs on Si(110) surface prepared by molecular beam epitaxy [J] . Usui H, Ishiji K, Yasuda H, Journal of Crystal Growth . 2006,第1期

机译：分子束外延制备Si（110）表面GaAs晶体的生长过程和纳米结构
2. Study of processes of self-catalyzed growth of gaas crystal nanowires by molecular-beam epitaxy on modified Si (111) surfaces [J] . Samsonenko Y.B., Cirlin G.E., Khrebtov A.I., Semiconductors . 2011,第4期

机译：分子束外延在修饰Si（111）表面上自催化生长gaas晶体纳米线的过程研究
3. Surface morphology of GaAs during molecular beam epitaxy growth: Comparison of experimental data with simulations based on continuum growth equations - art. no. 205302 [J] . Ballestad A., Ruck BJ., Schmid JH., Physical Review, B. Condensed Matter . 2002,第20期

机译：GaAs在分子束外延生长过程中的表面形态：将实验数据与基于连续生长方程的模拟进行比较-艺术。没有。 205302
4. Impact of Processing and Growth Conditions on the Site-Catalyzed Patterned Growth of GaAs Nanowires by Molecular Beam Epitaxy [C] . Manish Sharma, Pavan Kasanaboina, Shanthi Iyer Nanoengineering: Fabrication, properties, optics, and devices XIV . 2017

机译：加工和生长条件对分子束外延对GaAs纳米线定点催化图案生长的影响
5. Synthesis and Properties of GaAs1-xBix Prepared by Molecular Beam Epitaxy. [D] . Li, Jincheng. 2016

机译：分子束外延制备GaAs1-xBix的合成及性能。
6. Molecular beam epitaxy growth of peak wavelength-controlled InGaAs/AlGaAs quantum wells for 4.3-μm mid-wavelength infrared detection [O] . Zhenwu Shi, Lu Wang, Honglou Zhen, 2013

机译：峰值波长控制的InGaAs / AlGaAs量子阱的分子束外延生长用于4.3μm中波长红外检测
7. Atomic-scale nature of the (3x3)-ordered GaAs(001):N surface prepared by plasma-assisted molecular-beam epitaxy [O] . Gwo S 2011

机译：等离子体辅助分子束外延制备的（3x3）有序GaAs（001）：N表面的原子尺度性质
8. High Speed FETs Fabricated in GaAs/AlGaAs Layered Structures Prepared by Molecular Beam Epitaxy [R] . Morkoc, H. 1984

机译：用分子束外延法制备的Gaas / alGaas层状结构制备高速FET

Growth process and nanostructure of crystalline GaAs on Si(1 1 0) surface prepared by molecular beam epitaxy

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅