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敬超; 吴义政;
中国物理学会;
中国电子学会应用磁学分会;
中国金属学会功能材料分会;
Fe xMn1-x合金; GaAs; 分子束外延结构; 磁性;
机译:在GaAs(001)和MgO(001)上通过离子束溅射外延生长的Fe膜和Fe / Si / Fe三层膜的磁性
机译:利用分子束外延法在Mgo(001)衬底上生长铁磁性Fe_4n外延层和α轴取向的Fe_4n / mgo / fe磁性隧道结。
机译:SrTiO_3在GaAs(001)上的分子束外延:GaAs表面处理和氧化物层的结构表征
机译:(001)GaAs上通过分子束外延生长的GaN-GaAs合金的微观结构表征
机译:通过分子束外延生长的碳化硅/硅(001)和碳化锗/锗(001)合金中的碳结合途径和晶格位点分布。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:在GaAs(001)和MgO(001)上通过离子束溅射外延生长的Fe膜和Fe / Si / fe三层膜的磁性
机译:分子束外延生长p型表面层alGaas / Gaas mODFET的制备和I-V表征
机译:利用分子束外延和衬底去除技术外延生长GaAs薄膜的方法和与GaAs衬底无关的器件结构
机译:散射单元,用于通过表面上的原子扩散(特别是在设备区域中的分子和原子束外延)研究表面状况
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
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