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【2h】

Gate-all-around vertical silicon nanowire (GAA-VSiNW) fets : junction and threshold voltage engineering for optimum performance and scalability

机译：门 - 全面垂直硅纳米线（GaA-VsinW）FET：结和阈值电压工程，实现最佳性能和可扩展性

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Weijie Lu;
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机译：通过可控极性自上而下地制造门 - 全围绕垂直堆叠的硅纳米线FET

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