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第一章 绪论
1.1半导体功率器件的需求
1.2传统MOSFET的发展及“硅限”
1.3超结MOSFET的提出和发展
1.4本文主要任务及安排
第二章 超结MOSFET研究的基础理论
2.1超结MOSFET结构及工作原理
2.2超结MOSFET的制造工艺
2.3超结MOSFET仿真模型
2.4本章小结
第三章 650V超结MOSFET元胞仿真
3.1超结MOSFET元胞结构设计
3.2多次外延工艺
3.3槽刻蚀与填充工艺仿真
3.4栅氧厚度和P-body注入剂量对阈值电压的影响
3.5超结MOSFET的温度特性
3.6本章小结
第四章 650V超结MOSFET器件特性和可靠性分析
4.1超结MOSFET深槽刻蚀填充工艺流程
4.2超结MOSFET的电性能评测
4.3超结MOSFET均匀性统计
4.4超结MOSFET可靠性测试
4.5本章小结
第五章 超结MOSFET充电桩系统性能评测
5.1电压应力测试
5.2电流应力测试
5.3温度应力测试
5.4系统极限应力测试
5.5本章小结
第六章 总结与展望
6.1总结
6.2展望
参考文献
致谢
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