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机译:通过可控极性自上而下地制造门 - 全围绕垂直堆叠的硅纳米线FET
Michele De Marchi; Davide Sacchetto; Jian Zhang; Stefano Frache; Pierre-Emmanuel Gaillardon; Yusuf Leblebici; Giovanni De Micheli;
机译:具有可控极性的全栅垂直堆叠硅纳米线FET的自顶向下制造
机译:垂直堆叠的全栅多晶硅纳米线FET,具有通过纳米模板光刻构图的亚微米级栅极
机译:使用极性控制的硅纳米线全能FET的可配置逻辑门
机译:双栅,全栅垂直堆叠的硅纳米线FET中的极性控制
机译:硅锗/硅垂直MOSFET和侧壁应变硅器件:设计和制造。
机译:具有全方位纳米栅极的垂直硅纳米线场效应晶体管
机译:双栅极的极性控制,门 - 全绕垂直堆叠硅纳米线FET
机译:纳米线全能GE PFET和多边形III-V PFET CMOS器件的混合集成制造
机译:纳米线全栅极GE PFET和多边形III-V PFET CMOS器件的混合集成制造
机译:使用界面相互作用在悬浮纳米线上制造完美对称的栅极FET
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