机译:使用AlN / SiN作为钝化层和栅后凹槽沟道保护层,具有提高的沟道迁移率和动态性能的栅凹槽常关GaN MOSHEMT
机译:使用HfO_2高k电介质进行表面钝化和栅氧化的AlGaN / GaN HEMT的增强的器件性能
机译:Ir栅极界面氧化物层对AlGaN / GaN HEMT性能的影响
机译:通过在AlGaN / GaN /硅HEMT结构上插入薄的氧化铒层来改善栅极泄漏和微波性能
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:基于PD-Algan / GaN HEMTS栅极偏压调制的二氧化氮气体传感器性能优化
机译:优化栅极结构的绝缘层以及GaN上MIS-HEMT晶体管的钝化
机译:改善GaN / alGaN HEmT性能和可靠性的钝化技术发展