首页> 外文OA文献 >Si3N4/AlGaN/GaN–metal–insulator–semiconductor heterostructure field–effect transistors

【2h】

Si3N4/AlGaN/GaN–metal–insulator–semiconductor heterostructure field–effect transistors

机译：Si3N4 / AlGaN / GaN-金属 - 绝缘体 - 半导体异质结构场效应晶体管

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
X. Hu; A. Koudymov; G. Simin; J. Yang; M. Asif Khan; A. Tarakji; M. S. Shur; R. Gaska;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2001
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. GaN Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Tetraethylorthosilicate SiO_2 Gate Insulator on AlGaN/GaN Heterostructure [J] . Jin-Ping Ao, Katsutoshi Nakatani, Keisuke Ohmuro, Japanese journal of applied physics . 2010,第4issue2期

机译：在AlGaN / GaN异质结构上具有四乙基原硅酸SiO_2栅极绝缘体的GaN金属氧化物半导体场效应晶体管
2. Effect of AlN growth temperature on trap densities of in-situ metal-organic chemical vapor deposition grown AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors [J] . Joseph J. Freedsman, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa AIP Advances . 2012,第2期

机译：AlN生长温度对原位金属有机化学气相沉积生长AlN / AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管的陷阱密度的影响
3. Characterization and optimization of AlGaN/GaN metal-insulator semiconductor heterostructure field effect transistors using supercritical CO2/H2O technology [J] . Meihua Liu, Zhangwei Huang, Kuan-Chang Chang, 中国物理：英文版 . 2020,第012期

机译：使用超临界CO2 / H2O技术的AlGaN / GaN金属 - 绝缘体半导体异质结构场效应晶体管的表征与优化
4. An Analytical Drain Current Model for AlGaN/GaN Metal Insulator Semiconductor Heterostructure Field Effect Transistor (MISHFET): A Comparative Study with Conventional HFETs for High Power Microwave Applications [C] . Aggarwal, R., Gupta, Power Quality and Supply Reliability Conference, 2008 . 2007

机译：AlGaN / GaN金属绝缘体半导体异质结构场效应晶体管（MISHFET）的分析漏电流模型：与用于大功率微波应用的常规HFET的比较研究
5. Process development and characterization of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors [D] . Ping, Andrew Taiann 1999

机译：AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的工艺开发和表征
6. Proton Irradiation Effects on the Time-Dependent Dielectric Breakdown Characteristics of Normally-Off AlGaN/GaN Gate-Recessed Metal-Insulator-Semiconductor Heterostructure Field Effect Transistors [O] . Dongmin Keum, Hyungtak Kim 2019

机译：质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
7. Effect of AlN growth temperature on trap densities of in-situ metal-organic chemical vapor deposition grown AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors [O] . Freedsman, Joseph J., Kubo, Toshiharu, Egawa, Takashi, 2012

机译：AlN生长温度对原位金属有机化学气相沉积生长AlN / AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管的陷阱密度的影响

Si3N4/AlGaN/GaN–metal–insulator–semiconductor heterostructure field–effect transistors

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅