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Macro Modeling and Parameter Extraction of Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Transistor

机译：横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的宏观建模与参数提取

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Sang-Yong Kim; Il-Soo Kim;
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年度 2011
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1. Macro Modeling and Parameter Extraction of Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Transistor [J] . Kim Sang-Yong, Kim Il-Soo Transactions on Electrical and Electronic Materials . 2011,第1期

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2. Investigation of A 450 V Rating Silicon-On-Insulator Lateral-Double-Diffused-Metal-Oxide-Semiconductor Fabrication by 12/25/5/40 V Bipolar-Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Process on Bulk Silicon Substrate [J] . Fang-Long CHANG, Ming-Jang LIN, C. W. LIAW, Japanese Journal of Applied Physics. Part 1, Regular Papers & Short Notes . 2004,第7A期

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3. Modeling of a triple reduced surface field silicon-on-insulator lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with low on-state resistance [J] . Yu-Ru Wang, Yi-He Liu, Zhao-Jiang Lin, 中国物理：英文版 . 2016,第002期

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