State University of New York at Buffalo.;
机译:N沟道功率垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管中电离辐射和高场应力效应的比较
机译:累积总电离剂量(TID)和瞬态剂量率(TDR)对平面和垂直铁电隧道场效应 - 晶体管(TFET)的影响
机译:通过施加较大的背栅电压应力,深亚微米部分耗尽的绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管提高了总电离剂量硬度
机译:高总电离剂量效应的微功率运算跨导放大器的设计
机译:先进的互补金属氧化物半导体技术中总电离剂量效应的建模。
机译:用于高频和医疗设备的垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)功率晶体管结构的优化
机译:总剂量电离辐射对功率MOSFET击穿影响的二维模拟