首页> 外文会议>International Conference on Modern Circuits and Systems Technologies >Design of Micropower Operational Transconductance Amplifiers for High Total Ionizing Dose Effects
【24h】

Design of Micropower Operational Transconductance Amplifiers for High Total Ionizing Dose Effects

机译:高总电离剂量效应的微功率运算跨导放大器的设计

获取原文

摘要

The design of radiation-hard analog/mixed signal Integrated Circuits for high Total Ionizing Dose (TID) is a challenging task. Front-end electronics for the High-Luminosity Large Hadron Collider (HL-LHC) are expected to be exposed to doses exceeding 500 Mrad(SiO2). Using a recently developed TID-Process Design Kit (PDK) in 65 nm bulk CMOS, the present paper illustrates the design of micropower, current-mirror and folded cascode CMOS Operational Transconductance Amplifiers (OTAs) using moderate inversion techniques to favor insensitivity to high TID.
机译:用于高总电离剂量(TID)的抗辐射模拟/混合信号集成电路的设计是一项艰巨的任务。高光强强子对撞机(HL-LHC)的前端电子设备预计将暴露于超过500 Mrad(SiO 2 )。本文使用最近开发的用于65 nm体CMOS的TID工艺设计套件(PDK),说明了采用中度反转技术的微功耗,电流镜和折叠式共源共栅CMOS运算跨导放大器(OTA)的设计,以增强对高TID的不敏感度。 。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号