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胡国元;
基区; 收集极; PNP; 横向晶体管; 掩模; 发射区;
机译:绝缘体上硅上的横向双扩散金属氧化物半导体的漂移区中的薄层氧化物:一种新型器件结构,可实现可靠的高温功率晶体管
机译:屏蔽沟道结构的功率低温多晶硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的设计与分析
机译:使用高k电介质的SoI高压横向双扩散金属-氧化物-半导体晶体管中横向宽度技术的变化
机译:折叠累积横向双扩散晶体管具有低特异性电阻的折叠累积横向双扩散晶体管
机译:双扩散MOS功率晶体管结构的分析与优化
机译:具有增强的双栅极和部分P埋层的超低比导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
机译:完全拉伸的应变部分硅绝缘体n型 采用局域化的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 接触蚀刻停止层
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管和横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
机译:兼容的垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管和横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
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