首页> 外文OA文献 >Developing Precursor Chemistry for Atomic Layer Deposition of High-Density, Conformal GeTe Films for Phase-Change Memory

【2h】

Developing Precursor Chemistry for Atomic Layer Deposition of High-Density, Conformal GeTe Films for Phase-Change Memory

机译：开发用于高密度的原子层沉积的前体化学，相变内存的共形凝血剂膜

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者

展开▼
作者单位

展开▼
年度 -1
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Developing Precursor Chemistry for Atomic Layer Deposition of High-Density, Conformal GeTe Films for Phase-Change Memory [J] . Park Eui-Sang, Yoo Chanyoung, Kim Woohyun, Chemistry of Materials: A Publication of the American Chemistry Society . 2019,第21期

机译：开发前体化学，用于高密度的原子层沉积，相变记忆的共形凝血剂膜
2. Conformal Formation of (GeTe2)_(1_x)(Sb2Te3)_x Layers by Atomic Layer Deposition for Nanoscale Phase Change Memories [J] . Taeyong Eom, Seol Choi, Byung Joon Choi Chemistry of Materials: A Publication of the American Chemistry Society . 2012,第11期

机译：通过纳米层相变存储器的原子层沉积共形形成（GeTe2）_（1_x）（Sb2Te3）_x层
3. Chemically conformal deposition of SrTiO_3 thin films by Atomic Layer Deposition using conventional metal organic precursors and remote-plasma activated H_2O [J] . Sang Woon Lee, Oh Seong Kwon, Cheol Seong Hwang Microelectronic Engineering . 2005,第Jun期

机译：使用常规金属有机前体和远程等离子体活化的H_2O，通过原子层沉积化学共形沉积SrTiO_3薄膜
4. (Invited) Atomic-Layer-Deposition of in-Situ Crystallized Ge_2Sb_2Te_5 Alloy and Gete/Sb_2Te_3 Superlattice, and Their Phase-Change Performances [C] . Cheol Seong Hwang Meeting of the Electrochemical Society;International Meeting on Chemical Sensors . 2020

机译：（邀请）原位结晶Ge_2SB_2TE_5合金和GetE / Sb_2te_3超晶格的原子层沉积，以及它们的相变性能
5. Atomic layer deposition of metal films: From precursor synthesis to film deposition [D] . Li, Zhengwen 2007

机译：金属膜的原子层沉积：从前驱物合成到膜沉积
6. Atomic layer deposition of high-density Pt nanodots on Al2O3 film using (MeCp)Pt(Me)3 and O2 precursors for nonvolatile memory applications [O] . Shi-Jin Ding, Hong-Bing Chen, Xing-Mei Cui, 2013

机译：使用（MeCp）Pt（Me）3和O2前驱体在Al2O3膜上高密度Pt纳米点的原子层沉积用于非易失性存储应用
7. Atomic layer deposition of high-density Pt nanodots on Al2O3 film using (MeCp)Pt(Me)3 and O2 precursors for nonvolatile memory applications [O] . Shi-Jin Ding, Hong-Bing Chen, Xing-Mei Cui, 2013

机译：使用（MeCp）Pt（Me）3和O2前驱体在Al2O3膜上高密度Pt纳米点的原子层沉积，用于非易失性存储应用

Developing Precursor Chemistry for Atomic Layer Deposition of High-Density, Conformal GeTe Films for Phase-Change Memory

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅